Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 16000 Гб; Скорость вращения: 7200 rpm; Объем буфера: 512 Мб
Компания производитель: Toshiba
Объем: 1.92 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SAS 3
Компания производитель: HP
Объем: 3.84 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SAS 3; Подсветка: нет; Радиатор охлаждения: нет
Компания производитель: Lenovo
Объем: 1; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Средняя скорость случайного чтения: 50 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 50 000 IOps; Толщина: 7; Дата выхода на рынок: 2020; Ресурс записи: 480 TBW
Компания производитель: Patriot
Объем: 1; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Скорость последовательного чтения: 5000; Скорость последовательной записи: 4500; Средняя скорость случайного чтения: 400 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 550 000 IOps; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000; Толщина: 3.13; Контроллер: Silicon Motion SMI2263XT; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 1000 TBW
Компания производитель: A-Data
Объем: 0.128 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Толщина: 7 мм; Подсветка: нет
Компания производитель: Netac
Форм-фактор: 2.5"; Тип: гибридный; Скорость вращения: 10000; Объем буфера: 256; Количество пластин: 3; Интерфейс SAS: есть; Ударостойкость при хранении: 400; Ударостойкость при работе: 40; Потребляемая мощность: 7.5; Потребляемая мощность в спящем режиме: 4.4; Уровень шума простоя: 31; Высота: 15
Компания производитель: Seagate
Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 4000; Поддержка секторов размером 4 Кб; Скорость вращения: 7200; Объем буфера: 128; Интерфейс SATA: SATA 6Gb/s; Время наработки на отказ: 1200000; Ударостойкость при хранении: 250; Ударостойкость при работе: 70; Потребляемая мощность: 9; Потребляемая мощность в спящем режиме: 1; Высота: 26.1
Компания производитель: Seagate
Объем: 3.84 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Аппаратное шифрование: нет; Подсветка: нет
Компания производитель: Lenovo
Объем: 0.500 Тб Форм-фактор: M.2 Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3) Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND Время наработки на отказ (МТBF): 000000 ч Дата выхода на рынок: 2019 Подсветка: нет
Компания производитель: Silicon Power
Объем: 4; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Средняя скорость случайного чтения: 1 600 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 1 550 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 8.6; Энергопотребление (ожидание): 0.06; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 2.3; Контроллер: Samsung Pascal; Размеры М.2: 2280
Компания производитель: Samsung
