Объем: 0.48 Тб Форм-фактор: M.2 Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND Скорость последовательного чтения: 2100 Мб/с Скорость последовательной записи: 1600 Мб/с Средняя скорость случайного чтения: 249 100 IOps
Компания производитель: AMD
Объем: 0.128 Тб Форм-фактор: 2.5" Интерфейс: SATA 3.0 Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND Скорость последовательного чтения: 550 Мб/с Скорость последовательной записи: 420 Мб/с Время наработки на отказ (МТBF): 500000 ч
Компания производитель: Silicon Power
Объем: 1; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Средняя скорость случайного чтения: 1 000 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 700 000 IOps; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000; Толщина: 2.3; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 640 TBW
Компания производитель: Netac
Форм-фактор: 2.5"; Тип: гибридный; Скорость вращения: 10000; Объем буфера: 256; Количество пластин: 3; Интерфейс SAS: есть; Ударостойкость при хранении: 400; Ударостойкость при работе: 40; Потребляемая мощность: 7.5; Потребляемая мощность в спящем режиме: 4.4; Уровень шума простоя: 31; Высота: 15
Компания производитель: Seagate
Объем: 0.128 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Толщина: 7 мм; Подсветка: нет
Компания производитель: Netac
Объем: 0.25; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND (128-слоев); Аппаратное шифрование; Скорость последовательного чтения: 6400; Скорость последовательной записи: 2700; Средняя скорость случайного чтения: 500 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 600 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 5; Энергопотребление (ожидание): 0.04; Время наработки на отказ (МТBF): 500000; Толщина: 2.38; Контроллер: Samsung Elpis; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 150 TBW; Буфер обмена: 512
Компания производитель: Samsung
Объем: 0.26; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 550; Скорость последовательной записи: 450; Средняя скорость случайного чтения: 63 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 72 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 1.2; Энергопотребление (ожидание): 0.37; Толщина: 7
Компания производитель: Hikvision
Форм-фактор: 2.5"; Тип: HDD; Емкость: 1800 Гб; Скорость вращения: 10000 rpm; Интерфейс SAS: SAS 3.0
Компания производитель: HP
Объем: 4; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4); Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND; Средняя скорость случайного чтения: 600 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 850 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 5.1; Энергопотребление (ожидание): 0.05; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 2.15; Контроллер: Phison PS5021-E21T; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 900 TBW
Компания производитель: MSI
Объем: 4; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Средняя скорость случайного чтения: 1 600 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 1 550 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 8.6; Энергопотребление (ожидание): 0.06; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 2.3; Контроллер: Samsung Pascal; Размеры М.2: 2280
Компания производитель: Samsung
Объем: 2; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Средняя скорость случайного чтения: 130 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 280 000 IOps; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 3.13; Контроллер: Silicon Motion SM2263XT; Радиатор охлаждения; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 480 TBW
Компания производитель: A-Data
Объем: 1; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe); Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND; Скорость последовательного чтения: 5000; Скорость последовательной записи: 3600; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Контроллер: Phison PS5021-E21-48; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 220 TBW
Компания производитель: Crucial
Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Скорость вращения: 7200; Объем буфера: 256
Компания производитель: Seagate
