Объем: 0.5; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Скорость последовательного чтения: 5000; Скорость последовательной записи: 2700; Средняя скорость случайного чтения: 380 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 530 000 IOps; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000; Толщина: 3.13; Контроллер: Silicon Motion SMI2263XT; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 500 TBW
Компания производитель: A-Data
3.5", SAS 3.0 (12Gbps), 7200 об/мин, буфер 256 МБ
Компания производитель: Seagate
Объем: 0.24 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Толщина: 7 мм; Подсветка: нет
Компания производитель: Netac
Компания производитель: WD
Компания производитель: WD
Компания производитель: WD
Объем: 0.24; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 2100; Скорость последовательной записи: 1000; Средняя скорость случайного чтения: 200 250 IOps; Средняя скорость случайной записи: 206 100 IOps; Контроллер: Silicon Motion SM2263XT; Дата выхода на рынок: 2018; Размеры М.2: 2280
Компания производитель: AMD
Объем: 2; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 540; Скорость последовательной записи: 500; Время наработки на отказ (МТBF): 500000; Толщина: 7; Контроллер: Silicon Motion SM2258XT; Дата выхода на рынок: 2018
Компания производитель: Crucial
Объем: 1.6; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SAS 4 (24G); Тип микросхем Flash: TLC; Скорость последовательного чтения: 4150; Скорость последовательной записи: 2700; Средняя скорость случайного чтения: 595 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 265 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 5; Время наработки на отказ (МТBF): 2500000; Толщина: 15
Компания производитель: Kioxia
Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 12000; Скорость вращения: 7200; Интерфейс SAS: SAS 3.0
Компания производитель: HP
Объем: 4 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Толщина: 2.8 мм
Компания производитель: AMD
Объем: 0.5; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 6100; Скорость последовательной записи: 4000; Время наработки на отказ (МТBF): 1800000; Толщина: 3.8; Контроллер: MaxioTech MAP1602A; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 400 TBW
Компания производитель: Patriot
Объем: 1; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Скорость последовательного чтения: 7450; Скорость последовательной записи: 6900; Средняя скорость случайного чтения: 1 200 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 1 550 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 5.4; Энергопотребление (ожидание): 0.05; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 2.3; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 600 TBW; Буфер обмена: 1024
Компания производитель: Samsung
Объем: 0.5; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 7300; Скорость последовательной записи: 3900; Средняя скорость случайного чтения: 450 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 900 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 4.1; Энергопотребление (ожидание): 0.01; Время наработки на отказ (МТBF): 1800000; Толщина: 10.5; Контроллер: Phison PS5018-E18; Дата выхода на рынок: 2021; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 500 TBW
Компания производитель: Kingston
